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N-Kanal 75 V 160 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK (7-Lead)
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IRF2907ZS-7PPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF2907ZS-7PPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF2907ZS-7PPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 160 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK (7-Lead)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
160 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,8mOhm bei 110A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7580 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (7-Lead)
Gehäuse / Hülle
TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche), TO-263CB
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