CSD23201W10 Texas Instruments | Diskrete Halbleiterprodukte

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Direkter Ersatz

Texas Instruments

Vorrätig: 7 675

Stückpreis : $ 0,62000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD23201W10
DigiKey-Teilenr.	296-24258-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD23201W10
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 2,2 A (Tc) 1W (Ta) Oberflächenmontage 4-DSBGA (1x1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD23201W10 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	82mOhm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	-6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	325 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-DSBGA (1x1)
Gehäuse / Hülle	4-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer	CSD232