Name: CSD19506KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37169-5-ND
Price: 5.58 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 80 V 100 A (Ta) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CSD19506KCS
DigiKey-Teilenr.	296-37169-5-ND
Hersteller	Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer	CSD19506KCS
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 100 A (Ta) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	CSD19506KCS Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12200 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	CSD19506

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500	€ 1,83920	€ 919,60
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