
TSM60NB190CF C0G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TSM60NB190CFC0G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TSM60NB190CF C0G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 59,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220S |
EDA/CAD-Modelle | TSM60NB190CF C0G Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1311 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 59,5W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten ITO-220S |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 3,7A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB190CF | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NB190CF-ND | € 3,77943 | Parametrisches Äquivalent |
| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPA65R190C7XKSA1-ND | € 3,19000 | Ähnlich |
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | 242 | R6020ENX-ND | € 4,05000 | Ähnlich |
| SIHA24N65EF-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHA24N65EF-E3-ND | € 2,75512 | Ähnlich |
| STF24N60DM2 | STMicroelectronics | 761 | 497-15115-5-ND | € 3,66000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,56000 | € 4,56 |
| 50 | € 2,36500 | € 118,25 |
| 100 | € 2,15350 | € 215,35 |
| 500 | € 1,78302 | € 891,51 |
| 1 000 | € 1,66409 | € 1.664,09 |
| 2 000 | € 1,56413 | € 3.128,26 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,56000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,47200 |


