Name: STY60NM60
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STY60NM60-ND
Price: 24.96 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 560W (Tc) Durchkontaktierung MAX247™

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STY60NM60
DigiKey-Teilenr.	497-STY60NM60-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STY60NM60
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 560W (Tc) Durchkontaktierung MAX247™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	55mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	266 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	560W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	MAX247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	STY60

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