Name: STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12344-3-ND
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STQ2HNK60ZR-AP
DigiKey-Teilenr.	497-12344-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-12344-3-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STQ2HNK60ZR-AP
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STQ2HNK60ZR-AP Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 50µA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 280 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 500mA (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer STQ2HNK60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8Ohm bei 1A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 4 332

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT)

Band & Box (TB)