N-Kanal 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
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STQ1NK80ZR-AP

DigiKey-Teilenr.
497-6197-1-ND - Gurtabschnitt (CT)
497-6197-3-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STQ1NK80ZR-AP
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STQ1NK80ZR-AP Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH™
Verpackung
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
300mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
160 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Basis-Produktnummer
STQ1NK80
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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 1,09000€ 1,09
10€ 0,68100€ 6,81
100€ 0,44900€ 44,90
500€ 0,34952€ 174,76
1 000€ 0,31746€ 317,46
Band & Box (TB)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
2 000€ 0,29050€ 581,00
4 000€ 0,26782€ 1.071,28
6 000€ 0,25627€ 1.537,62
10 000€ 0,24329€ 2.432,90
14 000€ 0,23837€ 3.337,18
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 1,09000
Stückpreis mit MwSt.:€ 1,30800
zur Verwendung mit
1 Artikel
STEVAL-ISF003V1

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