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N-Kanal 800 V 6 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP8N80K5

DigiKey-Teilenr.
497-13655-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP8N80K5
Beschreibung
MOSFET N CH 800V 6A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 6 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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STP8N80K5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH5™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
450 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP8N80
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