Name: STP45N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18275-ND
Price: 3.14171 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP45N60DM6
DigiKey-Teilenr.	497-18275-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP45N60DM6
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP45N60DM6 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM6
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,75V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	210W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP45

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