Name: STP35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16359-5-ND
Price: 4.836 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP35N60DM2
DigiKey-Teilenr.	497-16359-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP35N60DM2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP35N60DM2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2400 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	210W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP35

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 2,08000	€ 104,00
100	€ 1,89130	€ 189,13
500	€ 1,56100	€ 780,50
1 000	€ 1,45491	€ 1.454,91
2 000	€ 1,44033	€ 2.880,66

Standardverpackung des Herstellers

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