STP310N10F7 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

AOT280L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,53052
Datenblatt

Ähnlich

AOT282L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,48369
Datenblatt

Ähnlich

AOT290L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 4,04000
Datenblatt

Ähnlich

CSD19536KCS
Texas Instruments
Vorrätig: 190
Stückpreis : € 4,59000
Datenblatt

Ähnlich

FDP032N08B-F102
onsemi
Vorrätig: 812
Stückpreis : € 3,36000
Datenblatt

Ähnlich

FDP036N10A
onsemi
Vorrätig: 3 899
Stückpreis : € 5,40000
Datenblatt

Ähnlich

FDP86363-F085
onsemi
Vorrätig: 183
Stückpreis : € 3,69000
Datenblatt

Ähnlich

PSMN3R3-80PS,127
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 1 000
Stückpreis : € 4,71000
Datenblatt

Ähnlich

RJK1001DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,24000
Datenblatt

Ähnlich

SUP60030E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 373
Stückpreis : € 4,03000
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP310N10F7

DigiKey-Teilenr.
497-13233-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP310N10F7
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP310N10F7 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,7mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP310
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,36000€ 4,36
50€ 2,26740€ 113,37
100€ 2,06540€ 206,54
500€ 1,71134€ 855,67
1 000€ 1,60556€ 1.605,56
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 4,36000
Stückpreis mit MwSt.:€ 5,23200
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse seinAlle anzeigen
3 Artikel
STP315N10F7

STP315N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

€ 4,32000
CSD19536KCS

CSD19536KCS

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

Texas Instruments

€ 4,59000
STP240N10F7

STP240N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

STMicroelectronics

€ 4,32000