

STP18N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STP18N60DM2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP18N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP18N60DM2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 295mOhm bei 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 800 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,88000 | € 2,88 |
| 50 | € 1,44860 | € 72,43 |
| 100 | € 1,30890 | € 130,89 |
| 500 | € 1,06404 | € 532,02 |
| 1 000 | € 0,98537 | € 985,37 |
| 2 000 | € 0,91923 | € 1.838,46 |
| 5 000 | € 0,91757 | € 4.587,85 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,88000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,45600 |

