STFU8N60DM2 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

Vorrätig: 883

Stückpreis : € 2,24000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STFU8N60DM2
DigiKey-Teilenr.	497-STFU8N60DM2-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STFU8N60DM2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	295mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	STFU8