STL19N60M2 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STL19N60M2
DigiKey-Teilenr.	STL19N60M2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STL19N60M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STL19N60M2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	791 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (8x8) HV
Gehäuse / Hülle	4-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	STL19