STI6N62K3 STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STI6N62K3
DigiKey-Teilenr.	497-12265-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STI6N62K3
Beschreibung	MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 620 V 5,5 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STI6N62K3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	620 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	875 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	I2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	STI6N