N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
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STI33N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-STI33N65M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STI33N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1790 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
I2PAK
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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