Name: STH80N10LF7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH80N10LF7-2AG-ND
Price: 1.0032 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage H2PAK-2

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STH80N10LF7-2AG
DigiKey-Teilenr.	STH80N10LF7-2AG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STH80N10LF7-2AG
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage H2PAK-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	STripFET™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10mOhm bei 40A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2900 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	H2PAK-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STH80

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)