
STF9N60M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-STF9N60M2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF9N60M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 5,5 A (Tc) 20W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF9N60M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 320 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 20W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 780mOhm bei 3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N60NZ | onsemi | 930 | 488-FDPF12N60NZ-ND | € 2,74000 | Ähnlich |
| IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | 755 | IRFIB6N60APBF-ND | € 4,62000 | Ähnlich |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | € 2,29000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,79000 | € 1,79 |
| 10 | € 1,14700 | € 11,47 |
| 100 | € 0,77370 | € 77,37 |
| 500 | € 0,61418 | € 307,09 |
| 1 000 | € 0,56285 | € 562,85 |
| 2 000 | € 0,51969 | € 1.039,38 |
| 6 000 | € 0,46492 | € 2.789,52 |
| 10 000 | € 0,44415 | € 4.441,50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,79000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,14800 |




