N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF33N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-16355-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STF33N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
 Datenblatt
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STF33N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1870 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 3 098
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,53000€ 4,53
50€ 2,35100€ 117,55
100€ 2,14020€ 214,02
500€ 1,77100€ 885,50
1 000€ 1,65246€ 1.652,46
2 000€ 1,55284€ 3.105,68
5 000€ 1,54424€ 7.721,20
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:€ 5,43600