N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STD7NM50N-1

DigiKey-Teilenr.
STD7NM50N-1-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STD7NM50N-1
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
780mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
400 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
IPAK
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STD7
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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