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N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
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STB80NF55-06-1

DigiKey-Teilenr.
497-16196-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STB80NF55-06-1
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung I2PAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STB80NF55-06-1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ II
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
I2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
STB80
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