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N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB14NM65N

DigiKey-Teilenr.
497-7000-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STB14NM65N
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ II
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB14N
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