Name: STB14N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB14N80K5TR-ND
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB14N80K5
DigiKey-Teilenr.	497-STB14N80K5TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STB14N80K5CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STB14N80K5DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB14N80K5
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB14N80K5 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ K5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	445mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	620 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB14