Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 19.2 EUR
Availability: InStock

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SCTW60N120G2
DigiKey-Teilenr.	497-SCTW60N120G2-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTW60N120G2
Beschreibung	DISCRETE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 389W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTW60N120G2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1969 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	389W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	HiP247™
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCTW60

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