N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 270W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
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SCT30N120

DigiKey-Teilenr.
497-14960-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT30N120
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 270W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt
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Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,6V bei 1mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
270W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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