Name: SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040TO65G3TR-ND
Price: 9.972 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT040TO65G3
DigiKey-Teilenr.	497-SCT040TO65G3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCT040TO65G3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCT040TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT040TO65G3
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 288W (Tc) Oberflächenmontage TOLL (HV)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	63mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42.5 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	853 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	288W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TOLL (HV)
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	SCT040