Name: SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT027HU65G3AG-ND
Price: 8.48132 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK

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SCT027HU65G3AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT027HU65G3AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT027HU65G3AG
Beschreibung	SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage HU3PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 5mA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60.4 nC @ 18 V
Serie ECOPACK®	Vgs (Max.) +18V, -5V
Verpackung Lose im Beutel	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1277 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäusetyp vom Lieferanten HU3PAK
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 39,3mOhm bei 30A, 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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