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Toshiba Semiconductor and Storage
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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 140 V 10 A 20MHz 100 W Durchkontaktierung TO-3P
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2STA1695

DigiKey-Teilenr.
497-7054-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2STA1695
Beschreibung
TRANS PNP 140V 10A TO-3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 140 V 10 A 20MHz 100 W Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
700mV bei 700mA, 7A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 bei 3A, 4V
Leistung - Max.
100 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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