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Direkter Ersatz


Microchip Technology
Vorrätig: 120
Stückpreis : € 4,12000
Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 100MHz 500 mW Durchkontaktierung TO-18
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2N3700

DigiKey-Teilenr.
497-3108-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N3700
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO-18
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 100MHz 500 mW Durchkontaktierung TO-18
Datenblatt
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2N3700 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 150mA, 10V
Leistung - Max.
500 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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