
S4M0040120DA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1655-S4M0040120DA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S4M0040120DA1 |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 57 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 52mOhm bei 28,6A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 10,6mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +18V, -4V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1337 pF @ 1200 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 338W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247AD | |
Gehäuse / Hülle |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 6,12000 | € 6,12 |
| 30 | € 3,52200 | € 105,66 |
| 120 | € 2,95108 | € 354,13 |
| 510 | € 2,53339 | € 1.292,03 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 6,12000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 7,34400 |


