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N-Kanal 1200 V 57 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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S4M0040120DA1

DigiKey-Teilenr.
1655-S4M0040120DA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S4M0040120DA1
Beschreibung
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 57 A (Tc) 338W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 28,6A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 10,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1337 pF @ 1200 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
338W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
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120€ 2,95108€ 354,13
510€ 2,53339€ 1.292,03
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