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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 400 mW Durchkontaktierung TO-92
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SC1815

DigiKey-Teilenr.
5399-2SC1815-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SC1815
Beschreibung
50V 400MW 150MA NPN TO-92
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 150 mA 80MHz 400 mW Durchkontaktierung TO-92
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Tasche
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 10mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
70 bei 2mA, 6V
Leistung - Max.
400 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92
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