MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 56 A (Tc) 217W (Tc) Chassisbefestigung
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GCMX040A120B2B1P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX040A120B2B1P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX040A120B2B1P
Beschreibung
1200V, 40M SIC MOSFET HALF BRIDG
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 56 A (Tc) 217W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 40A, 20V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 10mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120nC bei 20V
Verpackung
Box
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3200pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
217W (Tc)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
56 A (Tc)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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