MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 102 A (Tc) 333W (Tc) Chassisbefestigung
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GCMX020A120B2H1P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX020A120B2H1P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX020A120B2H1P
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 102 A (Tc) 333W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28mOhm bei 50A, 20V
Hersteller
SemiQ
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 20mA
Verpackung
Tablett
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
222nC bei 20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5600pF bei 800V
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Leistung - Max.
333W (Tc)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
102 A (Tc)
Gehäuse / Hülle
Modul
Umwelt- und Exportklassifikationen
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