Name: GCMS007C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMS007C120S1-E1-ND
Price: 44.892 EUR
Availability: InStock

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N-Kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227

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GCMS007C120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMS007C120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMS007C120S1-E1
Beschreibung	GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 40mA
Herst. SemiQ	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 505 nC @ 18 V
Serie QSiC™	Vgs (Max.) +22V, -8V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13094 pF @ 1000 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 536W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Chassisbefestigung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 189A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 100A, 18V

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