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N-Kanal 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
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SIHG33N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG33N65E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHG33N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
32,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
105mOhm bei 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4040 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG33
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