Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 6.132 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT2H12NWBTL1
DigiKey-Teilenr.	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2H12NWBTL1
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 3,9 A (Tc) 39W (Tc) Oberflächenmontage TO-263CA-7LSHYAD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 410µA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +22V, -6V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 197 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,9 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263CA-7LSHYAD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 1,1A, 18V