Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS302AHGC9

DigiKey-Teilenr.
SCS302AHGC9-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
SCS302AHGC9
Beschreibung
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 2,15A Durchkontaktierung TO-220ACP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2,15A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 2 A
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10.8 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
110pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220ACP
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
SCS302
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 1 234
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt und ist daher nach Abverkauf der Lagerbestände nicht mehr lieferbar.
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,56000€ 2,56
50€ 1,27100€ 63,55
100€ 1,14580€ 114,58
500€ 0,92644€ 463,22
1 000€ 0,85595€ 855,95
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,56000
Stückpreis mit MwSt.:€ 3,07200