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P-Kanal 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WEMT
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P-Kanal 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WEMT
WEMT6 Series

RW1E025RPT2CR

DigiKey-Teilenr.
RW1E025RPT2CRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RW1E025RPT2CR
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 30 V 2,5 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage 6-WEMT
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
75mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
480 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-WEMT
Gehäuse / Hülle
6-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer
RW1E025
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