Name: RS6N120BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6N120BHTB1TR-ND
Price: 3.96 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS6N120BHTB1
DigiKey-Teilenr.	846-RS6N120BHTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RS6N120BHTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RS6N120BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS6N120BHTB1
Beschreibung	NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3420 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSOP
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,9mOhm bei 60A, 6V	Basis-Produktnummer RS6N120