Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.308 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ6E080AJTCR
DigiKey-Teilenr.	RQ6E080AJTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ6E080AJTCR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 8 A (Ta) 950mW (Ta) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ6E080AJTCR Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 2mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16.2 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1810 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 950mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten TSMT6 (SC-95)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,5mOhm bei 8A, 4,5V	Basis-Produktnummer RQ6E080

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 531

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)