Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 1.728 EUR
Availability: InStock

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RQ3N040ATTB1
DigiKey-Teilenr.	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3N040ATTB1
Beschreibung	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 80 V 4A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 930 pF @ 40 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4A (Ta), 10A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSMT (3,2x3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 126mOhm bei 4A, 10V