Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTBTR-ND
Price: 1.848 EUR
Availability: InStock

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RQ3E180AJTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3E180AJTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E180AJTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3E180AJTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 18 A (Ta), 30 A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3E180AJTB Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 11mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4290 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Ta), 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSMT (3,2x3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,5mOhm bei 18A, 4,5V	Basis-Produktnummer RQ3E180