



RQ3E100GNTB | |
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DigiKey-Teilenr. | RQ3E100GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | RQ3E100GNTB |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | RQ3E100GNTB Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 11,7mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 420 pF @ 15 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 15W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-HSMT (3,2x3) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 0,64000 | € 0,64 |
| 10 | € 0,39300 | € 3,93 |
| 100 | € 0,25230 | € 25,23 |
| 500 | € 0,19168 | € 95,84 |
| 1 000 | € 0,17212 | € 172,12 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14724 | € 441,72 |
| 6 000 | € 0,13471 | € 808,26 |
| 9 000 | € 0,12832 | € 1.154,88 |
| 15 000 | € 0,12114 | € 1.817,10 |
| 21 000 | € 0,11689 | € 2.454,69 |
| 30 000 | € 0,11276 | € 3.382,80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,64000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,76800 |

