Name: RQ3E100BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100BNTBTR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

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RQ3E100BNTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3E100BNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3E100BNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3E100BNTB Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSMT (3,2x3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,4mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer RQ3E100

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