Name: RGW80TK65DGVC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGW80TK65DGVC11-ND
Price: 7.968 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGW80TK65DGVC11
DigiKey-Teilenr.	RGW80TK65DGVC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGW80TK65DGVC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 39 A 81 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	39 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	160 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	81 W
Schaltenergie	760µJ (Ein), 720µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	110 nC
Td (on/off) bei 25°C	44ns/143ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	92 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3PFM
Basis-Produktnummer	RGW80

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30	€ 3,84533	€ 115,36
120	€ 3,23025	€ 387,63
510	€ 2,81135	€ 1.433,79

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