Name: RGW00TS65EHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGW00TS65EHRC11-ND
Price: 10.032 EUR
Availability: InStock

IGBT Trench Feldstopp 650 V 96 A 254 W Durchkontaktierung TO-247N

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGW00TS65EHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGW00TS65EHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGW00TS65EHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 96A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 96 A 254 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	96 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	200 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	254 W
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	141 nC
Td (on/off) bei 25°C	50ns/183ns
Testbedingung	400V, 25A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	90 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGW00

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