Name: RGTV00TS65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGTV00TS65DGC11-ND
Price: 8.604 EUR
Availability: OutOfStock

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RGTV00TS65DGC11
DigiKey-Teilenr.	RGTV00TS65DGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGTV00TS65DGC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 95A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 95 A 276 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	95 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	200 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	276 W
Schaltenergie	1,17mJ (Ein), 940µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	104 nC
Td (on/off) bei 25°C	41ns/142ns
Testbedingung	400V, 50A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	102 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGTV00

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