IGBT Trench Feldstopp 650 V 23 A 56 W Durchkontaktierung TO-3PFM
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RGTH40TK65DGC11

DigiKey-Teilenr.
RGTH40TK65DGC11-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGTH40TK65DGC11
Beschreibung
IGBT TRENCH FS 650V 23A TO-3PFM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 23 A 56 W Durchkontaktierung TO-3PFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
23 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 20A
Leistung - Max.
56 W
Schaltenergie
-
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
40 nC
Td (on/off) bei 25°C
22ns/73ns
Testbedingung
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
58 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3PFM, SC-93-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PFM
Basis-Produktnummer
RGTH40
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