Name: RGT50TM65DGC9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGT50TM65DGC9-ND
Price: 4.716 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGT50TM65DGC9
DigiKey-Teilenr.	RGT50TM65DGC9-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGT50TM65DGC9
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 21 A 47 W Durchkontaktierung TO-220NFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	21 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	75 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 25A
Leistung - Max.	47 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	49 nC
Td (on/off) bei 25°C	27ns/88ns
Testbedingung	400V, 25A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	58 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220NFM
Basis-Produktnummer	RGT50

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,93000	€ 3,93
50	€ 2,02420	€ 101,21
100	€ 1,83990	€ 183,99
500	€ 1,51672	€ 758,36
1 000	€ 1,41299	€ 1.412,99
2 000	€ 1,39272	€ 2.785,44

Standardverpackung des Herstellers

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