Name: RGT30NS65DGC9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGT30NS65DGC9-ND
Price: 3.996 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGT30NS65DGC9
DigiKey-Teilenr.	RGT30NS65DGC9-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGT30NS65DGC9
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 133 W Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	45 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 15A
Leistung - Max.	133 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	32 nC
Td (on/off) bei 25°C	18ns/64ns
Testbedingung	400V, 15A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	55 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262
Basis-Produktnummer	RGT30

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,33000	€ 3,33
50	€ 1,69020	€ 84,51
100	€ 1,53140	€ 153,14
500	€ 1,25304	€ 626,52
1 000	€ 1,16360	€ 1.163,60
2 000	€ 1,11310	€ 2.226,20

Standardverpackung des Herstellers

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