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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RGT30NS65DGC9 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | RGT30NS65DGC9-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | RGT30NS65DGC9 |
Beschreibung | IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Feldstopp 650 V 30 A 133 W Durchkontaktierung TO-262 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Eingangstyp Standard |
Hersteller Rohm Semiconductor | Gate-Ladung 32 nC |
Verpackung Stange | Td (on/off) bei 25°C 18ns/64ns |
Status der Komponente Aktiv | Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
IGBT-Typ Trench Feldstopp | Umkehrerholungszeit (trr) 55 ns |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V | Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30 A | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 45 A | Gehäuse / Hülle TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA |
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 15A | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-262 |
Leistung - Max. 133 W | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,28000 | € 3,28 |
| 50 | € 1,66320 | € 83,16 |
| 100 | € 1,50700 | € 150,70 |
| 500 | € 1,23302 | € 616,51 |
| 1 000 | € 1,14501 | € 1.145,01 |
| 2 000 | € 1,09531 | € 2.190,62 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,28000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,93600 |
